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-85℃- 250℃納米半導(dǎo)體/元器件冷水機(jī)的典型應(yīng)用： 適合元器件測(cè)試用設(shè)備，在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

-92℃~250℃TEC半導(dǎo)體冷水機(jī)的典型應(yīng)用： 適合元器件測(cè)試用設(shè)備，在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

半導(dǎo)體高低溫測(cè)試?yán)渌畽C(jī)寬溫度定向升降的典型應(yīng)用： 適合元器件測(cè)試用設(shè)備，在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

高精度芯片高低溫測(cè)試電子冷熱測(cè)試的典型應(yīng)用： 適合元器件測(cè)試用設(shè)備，在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

半導(dǎo)體元器件Chiller,無(wú)錫冠亞芯片測(cè)試的典型應(yīng)用： 適合元器件測(cè)試用設(shè)備，在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。

半導(dǎo)體元件分析Chiller,元器件的典型應(yīng)用： 適合元器件測(cè)試用設(shè)備，在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬。